台积电 2nm 工艺将继续涨价：每片晶圆超 3 万美元，为 4/5nm 两倍
10 月 5 日消息，据报道，台积电在 2nm 制程节点上取得了重大突破，将首次引入 Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。
N2 工艺还结合了 NanoFlex 技术，为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相较于当前的 N3E 工艺，N2 工艺预计将在相同功率下实现 10% 至 15% 的性能提升，或在相同频率下将功耗降低 25% 至 30%。更令人瞩目的是，晶体管密度将提升 15%，这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。
据报道，台积电每片 300mm 的 2nm 晶圆的价格可能超过 3 万美元，高于之前预期的 2.5 万美元。相比之下，目前 3nm 晶圆的价格大概在 1.85 万至 2 万美元，而 4/5nm 晶圆的价格在 1.5 到 1.6 万美元之间。
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