中国研发性能快100万倍存储芯片
复旦大学的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片,使用半导体结构研发的存储芯片在性能上更优秀。具体来说,与DRAM内存相比,它的数据刷新时间是前者的156倍,也就是能保存更长时间的数据,同时具备纳秒(ns)级的写入速度(NAND闪存的延迟一般在毫秒级),与传统二维材料相比其速度快了100万倍。
刘强东:开放共享无界零售 提升供应链效率4月12日,在2018中国互联网+数字经济峰会上,京东集团董事局主席刘强东表示,京东将开放共享无界零售赋能合作伙伴,共同提升供应链效率。目前,京东的自营零售供应链综合费用率不到10%,未来要让
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